Транзисторы

Наименование производителя: KT973A Тип материала: Si Полярность: PNP. Максимальная рассеиваемая мощность (PC): 8 W. Мак cимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V. Мак cимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V. Мак cимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A. Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C. Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz. Аналог =BD876, 2N6035, 2N6036

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с ЭЛТ высокой четкости. Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 800 В Напряжение коллектор-база, не более: 1500 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 25 Корпус: TO-3PF Аналоги Транзистор 2SC5296 можно заменить на 2SC5250, 2SC5251, 2SC5252, 2SC5298

Транзистор биполярный Наименование производителя: 2SC5698 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Мак cимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Мак cимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Мак cимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Мак cимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4 Корпус транзистора: TO-3PMLH NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 65W, Tf

Транзистор биполярный Характеристики транзистора 2SC5707 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 15 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 560 Граничная частота коэффициента передачи тока: 330 МГц Корпус: TO-251 NPN 100V, 8A, 1W, 330MHz (Comp. 2SA2040)

Транзистор полевой P-Channel 60V, 12A, 23W Технические параметры Корпус to220 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс., в ±20 Структура p-канал Крутизна характеристики, S 11 Максимальное напряжение сток-исток Uси, в -60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -12 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.13 ом при-6a, -10в

Транзистор биполярный NPN+D 1500V, 8A, 125W, Tf Наименование производителя: BU508D Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W Мак cимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Мак cимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Мак cимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 125 pf Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5 Корпус транзистора: ISOWATT218

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs (th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 67 nC Время нарастания (tr): 39 ns Выходная емкость (Cd): 440 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm Тип корпуса: TO220

Наименование производителя: KT973B Маркировка: КТ973Б Тип материала: Si Полярность: PNP. Максимальная рассеиваемая мощность (PC): 8 W. Мак cимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V. Мак cимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V. Мак cимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A. Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C. Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz. Аналог 2N6035, 2N6036

Характеристики транзистора SS8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 1.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92

Характеристики транзистора SS8550 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V Ток коллектора, не более: -1.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92

Наименование производителя: KT805AM Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Мак cимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Мак cимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Мак cимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Наименование производителя: KT972A Тип материала: Si Полярность: NPN. Максимальная рассеиваемая мощность (PC): 8 W. Мак cимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V. Мак cимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V. Мак cимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A. Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C. Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz. Аналог 2N6038, 2N6039

Параметры транзистора IRF3205 Напряжение сток-исток Uси (max): 55В Ток сток-исток при 25 С Iси (max): 110А Напряжение затвор-исток Uзи (max): ±20В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 8 мОм Рассеиваемая мощность Pси (max): 200Вт Крутизна характеристики : 44S Пороговое напряжение на затворе: 2…4В Корпус: TO-220AB

Power PDP Trench IGBT 330V , 50A, Наименование: FGPF50N33BT Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Тип корпуса: TO220F

При температуре не более 25 градусов транзистор имеет следующие ключевые параметры: Наибольшее напряжение стока-истока — 55 Вольт Наибольший ток стока — 49 Ампер Сопротивление проводного канала стока-истока — 5 микро. Ом Рассеивающаяся мощность — 94 Ватт

Транзистор биполярный Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов. NPN; 800V; 13A; 70W; 0.3мкс

MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP - N-Channel 800V 17A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP Транзисторы полевые STF18NM80

MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 - N-Channel 800V 19A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247-3 Транзисторы полевые STW18NK80Z

TIP32C низкочастотный биполярный pnp транзистор. Применяются в линейных и переключающих схемах. Максимально допустимый ток коллектора (Ic) Iк макс. А 3 Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э. (Ucbo) Uкбо макс, в 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б. (Uceo) Uкэо макс, в 100 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), вт 40 Статический коэффициент передачи тока (hfe) h21э мин 25 Мак cимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uebo) Uэбо, в 5 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft) fгр. МГц 3 Структура биполярного транзистора PNP

RJP30E2DPP, TO-220F, Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А, 25 Вт IGBT 360V,35A

Транзистор IGBT IGBT 600v,30A, iGBT for Samsung Plasma TV

RJP30E2DPP, TO-220F, Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А, 25 Вт

NPN 100V, 15A, 90W (Комплиментарная пара BD912)

PNP 100V, 15A, 90W (Комплиментарная пара BD911)

NPN 1000V, 5A, 32W, Tf Транзистор биполярный

NPN, 750V, 20A, 200W строчная развертка

Транзистор IGBT IGBT 300V,200A_Discrete IGBT

PNP 70V, 10A, 75W, аналог КТ818А

N-Channel 600V, 9A, 50W

N-Channel , 200V , 18A,

N-Channel , 600V , 13A,

Транзистор IGBT IGBT 430V,200А

N-Channel 100V, 57A, 200W

N-Channel 500V, 4.5A, 75W

Характеристики транзистора IRF630 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 200 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 0.4 мОм Ток стока 9.0 А Заряд затвора 43.0 нКл Рассеиваемая мощность 74.0 Вт Аналоги транзистора IRF630 КП630, КП737А

Транзистор биполярный Характеристики транзистора 2SC3467 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 200 В Напряжение коллектор-база, не более: 200 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 320 Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92MOD NPN hi-res, 1200V, 8A, 120W

Транзистор биполярный Характеристики транзистора 2SC5298 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 800 В Напряжение коллектор-база, не более: 1500 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 10 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 70 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 25 Корпус: TO-3PF NPN hi-res, 1500V, 10A, 70W

Транзистор биполярный Характеристики транзистора 2SC5686 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 50 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 300 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 60 Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГц Корпус: TO-3PF NPN 600V, 11A, 70W

Наименование прибора: AOT430 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 268 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs (th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 114 nC Время нарастания (tr): 39 ns Выходная емкость (Cd): 400 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0115 Ohm Тип корпуса: TO-220

Транзистор IGBT 20N60A4 IGBT, dC=70A, vce (on)=2,7V, pd=290W --------------------------------------------------------------- Наименование: HGTG20N60A4D Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 70A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Корпус: TO247 Аналоги по ссылке: https://alltransistors. Com/ru/igbt/crsearch. Php?struct=N-Channel&uce=600V&ic=70A&tj=150&caps=TO247

Характеристики транзистора SS9013H Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 20 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 144 до 202 Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92

PNP Darl, 100V, 10A, 125W, B>1000 (Comp. TIP142_) PNP Darl, 100V, 10A, 125W, B>1000 (Comp. TIP142_)

PNP Darl, 100V, 10A, 125W, B>1000 (Comp. TIP142_) PNP Darl, 100V, 10A, 125W, B>1000 (Comp. TIP142_)

Транзистор биполярный высоковольтный средней мощности NPN NPN 700/400V, 4A, 75W, 4MHz, 150*C

Транзистор биполярный высоковольтный средней мощности NPN NPN 700/400V, 8A, 80W, 4MHz, 150*C

Транзистор биполярный высоковольтный средней мощности NPN NPN 700/400V, 12A, 100W,150*C

NPN+D hi-res, 1500V, 12A, 45W, Tf Транзисторы биполярные

TIP 31C транзистор биполярный NPN 100V 3A

TIP35C Биполярный транзистор, NPN, 100В, 25 А TO-247

АНАЛОГ КТ805 TIP41C Транзистор NPN 100В 6А TO-220

TIP42C Транзистор NPN 100В 6А 65W TO-220

N-Channel 7A 600V

NPN 1000V, 5A, 35W, Tf

SW13003 - высоковольтный биполярный NPN транзистор средней мощности в корпусе TO-126. Транзистор биполярный высоковольтный средней мощности NPN Макс. Ток коллектра 1,5А (3А -макс. Импульсный) макс. Напряж. Коллектор-эмиттер -400В

Транзистор биполярный Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов NPN 0.012A,1700V / 800V ,0.039W ,24A

Характеристики транзистора SS9012G Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -20 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 112 до 166 Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92

Транзистор IGBT 360V, 30A, Field Stop IGBT IGBT 360V,30A_с диодом_with diode