Сортировка
500 тг KT973A транзистор биполярный ,60V 4A, Транзистор Дарлингтона КТ-27 (TO-126)
Код товара: KT973A
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Наименование производителя: KT973A Тип материала: Si Полярность: PNP. Максимальная рассеиваемая мощность (PC): 8 W. Мак cимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V. Мак cимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V. Мак cимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A. Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C. Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz. Аналог =BD876, 2N6035, 2N6036
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
600 тг 2SC5296 TO-3PF транзистор биполярный ,800V 8A
Код товара: 2SC5296
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с ЭЛТ высокой четкости. Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 800 В Напряжение коллектор-база, не более: 1500 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 25 Корпус: TO-3PF Аналоги Транзистор 2SC5296 можно заменить на 2SC5250, 2SC5251, 2SC5252, 2SC5298
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
1 190 тг 2SC5698 TO-3PL транзистор биполярный
Код товара: 2SC5698
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Транзистор биполярный Наименование производителя: 2SC5698 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Мак cимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Мак cимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Мак cимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Мак cимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4 Корпус транзистора: TO-3PMLH NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 65W, Tf
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
120 тг 2SC5707 TO-251 (I-PAK) транзистор биполярный
Код товара: 2SC5707
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Транзистор биполярный Характеристики транзистора 2SC5707 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 15 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 560 Граничная частота коэффициента передачи тока: 330 МГц Корпус: TO-251 NPN 100V, 8A, 1W, 330MHz (Comp. 2SA2040)
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
1 130 тг 2SJ598 TO-220 Транзистор полевой
Код товара: 2SJ598
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Транзистор полевой P-Channel 60V, 12A, 23W Технические параметры Корпус to220 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс., в ±20 Структура p-канал Крутизна характеристики, S 11 Максимальное напряжение сток-исток Uси, в -60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -12 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.13 ом при-6a, -10в
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
600 тг BU508D TO-3PF транзистор биполярный ,700V 8A
Код товара: BU508D
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Транзистор биполярный NPN+D 1500V, 8A, 125W, Tf Наименование производителя: BU508D Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W Мак cимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Мак cимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Мак cимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 125 pf Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5 Корпус транзистора: ISOWATT218
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
1 000 тг HY3008P TO-220 транзистор полевой MOSFET
Код товара: HY3008P
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs (th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 67 nC Время нарастания (tr): 39 ns Выходная емкость (Cd): 440 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm Тип корпуса: TO220
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
500 тг KT973B транзистор биполярный ,45V 4A, Транзистор Дарлингтона КТ-27 (TO-126)
Код товара: KT973B
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Наименование производителя: KT973B Маркировка: КТ973Б Тип материала: Si Полярность: PNP. Максимальная рассеиваемая мощность (PC): 8 W. Мак cимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V. Мак cимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V. Мак cимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A. Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C. Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz. Аналог 2N6035, 2N6036
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
50 тг SS8050 TO-92 транзистор биполярный
Код товара: SS8050
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Характеристики транзистора SS8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 1.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
50 тг SS8550 TO-92 транзистор биполярный
Код товара: SS8550
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Характеристики транзистора SS8550 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V Ток коллектора, не более: -1.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
230 тг Кт805им TO-220 демонтаж
Код товара: КТ805ИМ
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Наименование производителя: KT805AM Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Мак cимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Мак cимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Мак cимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
500 тг KT972A транзистор биполярный ,60V 4A, Транзистор Дарлингтона КТ-27 (TO-126)
Код товара: KT972A
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Наименование производителя: KT972A Тип материала: Si Полярность: NPN. Максимальная рассеиваемая мощность (PC): 8 W. Мак cимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V. Мак cимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V. Мак cимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A. Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C. Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz. Аналог 2N6038, 2N6039
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
1 000 тг IRF3205 TO-220 транзистор полевой
Код товара: IRF3205
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Параметры транзистора IRF3205 Напряжение сток-исток Uси (max): 55В Ток сток-исток при 25 С Iси (max): 110А Напряжение затвор-исток Uзи (max): ±20В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 8 мОм Рассеиваемая мощность Pси (max): 200Вт Крутизна характеристики : 44S Пороговое напряжение на затворе: 2…4В Корпус: TO-220AB
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
500 тг FGPF 50N33 TO-220FP / китай , IGBT 330V , 50A,
Код товара: FGPF50N33
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Power PDP Trench IGBT 330V , 50A, Наименование: FGPF50N33BT Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Тип корпуса: TO220F
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
600 тг IRFZ44N TO-220 транзистор полевой
Код товара: IRFZ44N
Страна производства: Китай
Состояние: новый
При температуре не более 25 градусов транзистор имеет следующие ключевые параметры: Наибольшее напряжение стока-истока — 55 Вольт Наибольший ток стока — 49 Ампер Сопротивление проводного канала стока-истока — 5 микро. Ом Рассеивающаяся мощность — 94 Ватт
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
760 тг 2SC5803 TO-3P-ISO транзистор биполярный
Код товара: 2SC5803
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Транзистор биполярный Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов. NPN; 800V; 13A; 70W; 0.3мкс
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
940 тг STP18NM80 TO-220FP китай
Код товара: 18N80
Страна производства: Китай
Состояние: новый
MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP - N-Channel 800V 17A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP Транзисторы полевые STF18NM80
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
1 400 тг STW18NK80Z TO-247 китай
Код товара: 18N80
Страна производства: Китай
Состояние: новый
MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 - N-Channel 800V 19A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247-3 Транзисторы полевые STW18NK80Z
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
200 тг TIP32C TO-220AB
Код товара: TIP 32C
Страна производства: Китай
Состояние: новый
TIP32C низкочастотный биполярный pnp транзистор. Применяются в линейных и переключающих схемах. Максимально допустимый ток коллектора (Ic) Iк макс. А 3 Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э. (Ucbo) Uкбо макс, в 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б. (Uceo) Uкэо макс, в 100 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), вт 40 Статический коэффициент передачи тока (hfe) h21э мин 25 Мак cимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uebo) Uэбо, в 5 Граничная частота коэффициента передачи тока (ft) fгр. МГц 3 Структура биполярного транзистора PNP
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
1 100 тг RJP30E2 TO-3P / китай
Код товара: RJP30E2
Страна производства: Китай
Состояние: новый
RJP30E2DPP, TO-220F, Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А, 25 Вт IGBT 360V,35A
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
535 тг RJH30A3 TO-3P / китай
Код товара: RJH30A3
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Транзистор IGBT IGBT 600v,30A, iGBT for Samsung Plasma TV
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
1 100 тг RJP30E2 TO-220 / китай
Код товара: RJP30E2
Страна производства: Китай
Состояние: новый
RJP30E2DPP, TO-220F, Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А, 25 Вт
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
250 тг BD911 TO-220 китай
Код товара: BD911
Страна производства: Китай
Состояние: новый
NPN 100V, 15A, 90W (Комплиментарная пара BD912)
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
250 тг BD912 TO-220 китай
Код товара: BD912
Страна производства: Китай
Состояние: новый
PNP 100V, 15A, 90W (Комплиментарная пара BD911)
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
350 тг BUT11AF н/ориг TO-220F
Код товара: BUT11AF
Страна производства: Китай
Состояние: новый
NPN 1000V, 5A, 32W, Tf Транзистор биполярный
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
950 тг FJL6820 / J6820 TO-264 China демонтаж
Код товара: J6820
Страна производства: Китай
Состояние: новый
NPN, 750V, 20A, 200W строчная развертка
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
420 тг GT30F124 TO-220 /китай
Код товара: 30F124
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Транзистор IGBT IGBT 300V,200A_Discrete IGBT
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
320 тг MJE2955 TO-204 китай
Код товара: MJE2955
Страна производства: Китай
Состояние: новый
PNP 70V, 10A, 75W, аналог КТ818А
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
580 тг 2SK2645 TO-220F транзистор полевой
Код товара: 2SK2645
Страна производства: Китай
Состояние: новый
N-Channel 600V, 9A, 50W
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
320 тг FDPF 18N20 TO-220FP китай
Код товара: 18N20
Страна производства: Китай
Состояние: новый
N-Channel , 200V , 18A,
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
530 тг FQPF 13N60C TO-220FP /китай
Код товара: 13N60
Страна производства: Китай
Состояние: новый
N-Channel , 600V , 13A,
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
420 тг GT30G124 TO-220 /китай
Код товара: 30G124
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Транзистор IGBT IGBT 430V,200А
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
200 тг IRF3710 TO-220 /китай
Код товара: IRF3710
Страна производства: Китай
Состояние: новый
N-Channel 100V, 57A, 200W
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
230 тг IRF840 TO-220 /китай
Код товара: IRF840
Страна производства: Китай
Состояние: новый
N-Channel 500V, 4.5A, 75W
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
Загрузите приложение

Наведите камеру и скачайте приложение Tomas.kz
230 тг IRF630B TO-220AB
Код товара: IRF630B
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Характеристики транзистора IRF630 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 200 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 0.4 мОм Ток стока 9.0 А Заряд затвора 43.0 нКл Рассеиваемая мощность 74.0 Вт Аналоги транзистора IRF630 КП630, КП737А
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
915 тг 2SC3466 TO-247 транзистор биполярный дубликат/PNP, ic=0,1а, vceo=200в, vcbo=200в, pd=1вт,
Код товара: 2SC3466
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Транзистор биполярный Характеристики транзистора 2SC3467 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 200 В Напряжение коллектор-база, не более: 200 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 320 Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92MOD NPN hi-res, 1200V, 8A, 120W
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
715 тг 2SC5298 TO-3PF транзистор биполярный ДУБЛИКАТ / Казахстан
Код товара: 2SC5298
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Транзистор биполярный Характеристики транзистора 2SC5298 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 800 В Напряжение коллектор-база, не более: 1500 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 10 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 70 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 25 Корпус: TO-3PF NPN hi-res, 1500V, 10A, 70W
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
1 595 тг 2SC5686 TO-3PF транзистор биполярный
Код товара: 2SC5686
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Транзистор биполярный Характеристики транзистора 2SC5686 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 50 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 300 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 60 Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГц Корпус: TO-3PF NPN 600V, 11A, 70W
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
800 тг AOT430 TO-220 транзистор полевой
Код товара: AOT430
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Наименование прибора: AOT430 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 268 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs (th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 114 nC Время нарастания (tr): 39 ns Выходная емкость (Cd): 400 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0115 Ohm Тип корпуса: TO-220
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
1 785 тг HGTG 20N60A4d TO247
Код товара: 20N60A4
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Транзистор IGBT 20N60A4 IGBT, dC=70A, vce (on)=2,7V, pd=290W --------------------------------------------------------------- Наименование: HGTG20N60A4D Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 70A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Корпус: TO247 Аналоги по ссылке: https://alltransistors. Com/ru/igbt/crsearch. Php?struct=N-Channel&uce=600V&ic=70A&tj=150&caps=TO247
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
50 тг SS9013 TO-92 транзистор биполярный
Код товара: SS9013
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Характеристики транзистора SS9013H Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 20 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 144 до 202 Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
910 тг TIP147 TO-218
Код товара: TIP147
Страна производства: Китай
Состояние: новый
PNP Darl, 100V, 10A, 125W, B>1000 (Comp. TIP142_) PNP Darl, 100V, 10A, 125W, B>1000 (Comp. TIP142_)
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
450 тг TIP147T TO-220
Код товара: TIP147
Страна производства: Китай
Состояние: новый
PNP Darl, 100V, 10A, 125W, B>1000 (Comp. TIP142_) PNP Darl, 100V, 10A, 125W, B>1000 (Comp. TIP142_)
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
80 тг MJE13005-2 TO-220
Код товара: E13005
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Транзистор биполярный высоковольтный средней мощности NPN NPN 700/400V, 4A, 75W, 4MHz, 150*C
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
160 тг MJE13007-2 TO-220
Код товара: E13007
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Транзистор биполярный высоковольтный средней мощности NPN NPN 700/400V, 8A, 80W, 4MHz, 150*C
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
160 тг MJE13009-2 TO-220
Код товара: E13009
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Транзистор биполярный высоковольтный средней мощности NPN NPN 700/400V, 12A, 100W,150*C
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
990 тг BU2527DX
Код товара: BU2527DX
Страна производства: Китай
Состояние: новый
NPN+D hi-res, 1500V, 12A, 45W, Tf Транзисторы биполярные
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
200 тг TIP31C TO-220
Код товара: TIP 31C
Страна производства: Китай
Состояние: новый
TIP 31C транзистор биполярный NPN 100V 3A
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
1 130 тг TIP35C TO-247
Код товара: TIP 35C
Страна производства: Китай
Состояние: новый
TIP35C Биполярный транзистор, NPN, 100В, 25 А TO-247
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
395 тг TIP41C TO-220
Код товара: TIP 41C
Страна производства: Китай
Состояние: новый
АНАЛОГ КТ805 TIP41C Транзистор NPN 100В 6А TO-220
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
390 тг TIP42C TO-220
Код товара: TIP 42C
Страна производства: Китай
Состояние: новый
TIP42C Транзистор NPN 100В 6А 65W TO-220
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
350 тг KF7n60 TO-220FP
Код товара: KF7N60
Страна производства: Китай
Состояние: новый
N-Channel 7A 600V
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
595 тг MJE18004 TO-220F
Код товара: MJE18004
Страна производства: Китай
Состояние: новый
NPN 1000V, 5A, 35W, Tf
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
90 тг SW13003 TO-126 Транзистор биполярный
Код товара: SW13003
Страна производства: Китай
Состояние: новый
SW13003 - высоковольтный биполярный NPN транзистор средней мощности в корпусе TO-126. Транзистор биполярный высоковольтный средней мощности NPN Макс. Ток коллектра 1,5А (3А -макс. Импульсный) макс. Напряж. Коллектор-эмиттер -400В
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
1 750 тг 2SC5570 TO-3PL транзистор биполярный
Код товара: 2SC5570
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Транзистор биполярный Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов NPN 0.012A,1700V / 800V ,0.039W ,24A
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
50 тг SS9012 TO-92
Код товара: SS9012
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Характеристики транзистора SS9012G Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -20 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 112 до 166 Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника
1 200 тг RJP30E2 TO-263-3 / с россии
Код товара: RJH30E2
Страна производства: Китай
Состояние: новый
Транзистор IGBT 360V, 30A, Field Stop IGBT IGBT 360V,30A_с диодом_with diode
В наличии
Интернет-магазин MEGAЭлектроника