Транзисторы

Структура N-канал Постоянный ток стока (Id) 21 АСопротивление источника стока при включении (RDS (on)@Vgs, id) 150 Мом при 10 В, 10,5АНапряжение источника стока (Vdss) 650 ВПороговое напряжение затвора (Vgs (th)@Id) 3.5V@250uAВходная емкость (Ciss@Vds) 2.25nF@50VРабочая температура -55℃~+150℃ (Tj)Рассеиваемая мощность (Pd) 188 ВтЕмкость обратной передачи (Crss@Vds) 1.6pF@50VОбщий заряд затвора (Qg@Vgs) 36 НОК при 10 В

Наименование прибора: NCEP15T14 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 320 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs (th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 140 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 80 nC Время нарастания (tr): 36 ns Выходная емкость (Cd): 690 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0062 Ohm Тип корпуса: TO220Аналог (замена) для NCEP15T14

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 131 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs (th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 24.7 nC Время нарастания (tr): 8 ns Выходная емкость (Cd): 74 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.26 Ohm Тип корпуса: TO252

Наименование производителя: KT973AТип материала: SiПолярность: PNP. Максимальная рассеиваемая мощность (PC): 8 W. Мак cимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V. Мак cимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V. Мак cимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A. Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C. Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz. Аналог =BD876, 2N6035, 2N6036

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с ЭЛТ высокой четкости. Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 800 ВНапряжение коллектор-база, не более: 1500 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 6 VТок коллектора, не более: 8 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 ВтКоэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 25Корпус: TO-3PFАналоги. Транзистор 2SC5296 можно заменить на 2SC5250, 2SC5251, 2SC5252, 2SC5298

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 VПороговое напряжение включения |Ugs (th)|: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 67 nCВремя нарастания (tr): 39 ns. Выходная емкость (Cd): 440 pf. Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm. Тип корпуса: TO220

Транзистор полевой P-Channel 60V, 12A, 23WТехнические параметры. Корпус to220Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс., в ±20Структура p-канал. Крутизна характеристики, S 11Максимальное напряжение сток-исток Uси, в -60Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -12Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.13 ом при-6a, -10в

Характеристики транзистора SS8550Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 ВНапряжение коллектор-база, не более: -40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -6 VТок коллектора, не более: -1.5 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 ВтКоэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГцКорпус: TO-92

Транзистор биполярный Наименование производителя: 2SC5698Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 WМак cимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМак cимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМак cимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМак cимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 AПредельная температура PN-перехода (Tj): 150 °CСтатический коэффициент передачи тока (hfe): 4Корпус транзистора: TO-3PMLHNPN+D hi-res, 1500V, 8A, 65W, Tf

Транзистор биполярный Характеристики транзистора 2SC5707Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 6 VТок коллектора, не более: 8 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 15 ВтКоэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 560Граничная частота коэффициента передачи тока: 330 МГцКорпус: TO-251NPN 100V, 8A, 1W, 330MHz (Comp. 2SA2040)

Структура npn+pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э. (Uкбо макс), в 250 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б. (Uкэо макс), в 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 75 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр. МГц 30 Максимальная рассеиваемая мощность , вт 150 Корпус TO-3P

Структура N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, в 300 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 38 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс., в ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.069 Ом/24А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 341 Крутизна характеристики, S 45 Корпус TO-247AC Пороговое напряжение на затворе 3…5

Структура N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, в 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 202 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс., в ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.004 Ом/121А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200 Крутизна характеристики, S 76 Корпус TO-220AB Особенности автоприложения Пороговое напряжение на затворе 2…4

Наименование производителя: KT973BМаркировка: КТ973БТип материала: SiПолярность: PNP. Максимальная рассеиваемая мощность (PC): 8 W. Мак cимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V. Мак cимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V. Мак cимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A. Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C. Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz. Аналог 2N6035, 2N6036

Наименование производителя: KT972AТип материала: SiПолярность: NPN. Максимальная рассеиваемая мощность (PC): 8 W. Мак cимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V. Мак cимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V. Мак cимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A. Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C. Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz. Аналог 2N6038, 2N6039

Наименование производителя: KT805AMТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМак cимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМак cимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМак cимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 AПредельная температура PN-перехода (Tj): 150 °CГраничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHzСтатический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Характеристики транзистора SS8050Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 6 VТок коллектора, не более: 1.5 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 ВтКоэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГцКорпус: TO-92

Транзистор IGBTIGBT 600v,30A, iGBT for Samsung Plasma TV

Параметры транзистора IRF3205Напряжение сток-исток Uси (max): 55ВТок сток-исток при 25 С Iси (max): 110АНапряжение затвор-исток Uзи (max): ±20ВСопротивление канала в открытом состоянии Rси: 8 мОмРассеиваемая мощность Pси (max): 200ВтКрутизна характеристики : 44SПороговое напряжение на затворе: 2…4ВКорпус: TO-220AB

При температуре не более 25 градусов транзистор имеет следующие ключевые параметры: наибольшее напряжение стока-истока — 55 Вольт. Наибольший ток стока — 49 Ампер. Сопротивление проводного канала стока-истока — 5 микро. ОмРассеивающаяся мощность — 94 Ватт

Power PDP Trench IGBT 330V , 50A, наименование: FGPF50N33BTТип управляющего канала: N-Channel. Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50Тип корпуса: TO220F

Транзистор биполярный Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов. NPN hi-res, 1500V, 18A, 200W, Tf

Транзистор биполярный. Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов. NPN; 800V; 13A; 70W; 0.3мкс

MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 - N-Channel 800V 19A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247-3Транзисторы полевые STW18NK80Z

MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP - N-Channel 800V 17A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FPТранзисторы полевые STF18NM80

TIP32C низкочастотный биполярный pnp транзистор. Применяются в линейных и переключающих схемах. Максимально допустимый ток коллектора (Ic) Iк макс. А 3Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э. (Ucbo) Uкбо макс, в 100Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б. (Uceo) Uкэо макс, в 100Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), вт 40Статический коэффициент передачи тока (hfe) h21э мин 25Мак cимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uebo) Uэбо, в 5Граничная частота коэффициента передачи тока (ft) fгр. МГц 3Структура биполярного транзистора PNP

Категория Транзистор. Тип полевой. Вид N-MOSFETМонтаж THTТок стока, А 69Напряжение сток-исток, В 300Мощность, Вт 500Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.049Корпус TO3P

PNP Darl, 100V, 10A, 125W, B>1000 (Comp. TIP142_)PNP Darl, 100V, 10A, 125W, B>1000 (Comp. TIP142_)

RJP30E2DPP, TO-220F, Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А, 25 Вт IGBT 360V,35A

RJP30E2DPP, TO-220F, Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А, 25 Вт

Транзистор биполярный NPN+D 1500V, 8A, 125W, Tf

PNP 100V, 15A, 90W (Комплиментарная пара BD911)

NPN 100V, 15A, 90W (Комплиментарная пара BD912)

Транзистор IGBTIGBT 300V,200A_Discrete IGBT

PNP 70V, 10A, 75W, аналог КТ818А

NPN 1000V, 5A, 32W, Tf

NPN, 750V, 20A, 200Wстрочная развертка

N-Channel , 600V , 13A,

N-Channel 500V, 4.5A, 75W

N-Channel 600V, 9A, 50W

N-Channel , 200V , 18A,

N-Channel 100V, 57A, 200W

Транзистор биполярный

Наименование прибора: AOT430Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 268 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 VПороговое напряжение включения |Ugs (th)|: 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CОбщий заряд затвора (Qg): 114 nCВремя нарастания (tr): 39 ns. Выходная емкость (Cd): 400 pf. Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0115 Ohm. Тип корпуса: TO-220

Характеристики транзистора IRF630Корпус - TO-220ABНапряжение пробоя сток-исток 200 ВМаксимальное напряжение затвора 20 ВСопротивление в открытом состоянии 0.4 мОмТок стока 9.0 АЗаряд затвора 43.0 нКлРассеиваемая мощность 74.0 ВтАналоги транзистора IRF630КП630, КП737А

Транзистор биполярный Характеристики транзистора 2SC5298Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 800 ВНапряжение коллектор-база, не более: 1500 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 6 VТок коллектора, не более: 10 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 70 ВтКоэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 25Корпус: TO-3PFNPN hi-res, 1500V, 10A, 70W

Транзистор биполярный Характеристики транзистора 2SC5686Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 ВНапряжение коллектор-база, не более: 80 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 50 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 300 ВтКоэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 60Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГцКорпус: TO-3PFNPN 600V, 11A, 70W

Транзистор IGBT 20N60A4 IGBT, dC=70A, vce (on)=2,7V, pd=290W---------------------------------------------------------------наименование: HGTG20N60A4DТип управляющего канала: N-Channel. Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic): 70AМаксимальная температура перехода (Tj): 150Корпус: TO247Аналоги по ссылке: https://alltransistors. Com/ru/igbt/crsearch. Php?struct=N-Channel&uce=600V&ic=70A&tj=150&caps=TO247

Транзистор биполярный. Характеристики транзистора 2SC3467Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 200 ВНапряжение коллектор-база, не более: 200 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.1 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 ВтКоэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 320Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГцКорпус: TO-92MODNPN hi-res, 1200V, 8A, 120W

Характеристики транзистора SS9013HСтруктура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 20 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.5 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 ВтКоэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 144 до 202Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГцКорпус: TO-92

PNP Darl, 100V, 10A, 125W, B>1000 (Comp. TIP142_)PNP Darl, 100V, 10A, 125W, B>1000 (Comp. TIP142_)

Транзистор биполярный высоковольтный средней мощности NPNNPN 700/400V, 8A, 80W, 4MHz, 150*C

Транзистор биполярный высоковольтный средней мощности NPNNPN 700/400V, 4A, 75W, 4MHz, 150*C

Транзистор биполярный высоковольтный средней мощности NPNNPN 700/400V, 12A, 100W,150*C

АНАЛОГ КТ805TIP41C Транзистор NPN 100В 6А TO-220

TIP 31C транзистор биполярный NPN 100V 3A

NPN+D hi-res, 1500V, 12A, 45W, Tf

TIP35C Биполярный транзистор, NPN, 100В, 25 А TO-247

TIP42C Транзистор NPN 100В 6А 65W TO-220